IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IXFH96N20P
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247
Specifications of IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |