Onsemi MJ15016G THT, PNP Transistor -120 V / –15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin

Name: Onsemi | Onsemi MJ15016G THT, PNP Transistor -120 V / –15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin
Brand: onsemi
SKU: ABDT-264854
Price: 7.28 EUR
Availability: InStock

About The 67 x 8.onsemi MJ15016G THT, PNP Transistor -120 V / –15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin, Verlustleistung max

onsemi MJ15016G THT, PNP Transistor -120 V / –15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin, Verlustleistung max.: 180 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 200 V, Basis-Emitter Spannung max.: 7 V, Abmessungen: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Betriebstemperatur max.: +200 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

onsemi 2N3772G THT, NPN Transistor 50 V / 20 A 50 kHz, TO-204AA 2-Pin, Verlustleistung max.: 150 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 100 V, Basis-Emitter Spannung max.: 7 V, Abmessungen: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Betriebstemperatur max.: +200 °C

Samtec TSW Stiftleiste Stecker Gerade, 3-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Nicht ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 7.6A, Passende Stiftlänge: 5.84mm, Betriebsspannung: 550,0 V, MPN: TSW-103-07-L-S

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Specifications of Onsemi MJ15016G THT, PNP Transistor -120 V / –15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin
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MEAN WELL Schaltnetzteil, 54V dc / 11.2A 604.8W 127 → 431 V dc, 90 → 305 V ac Geschlossen, Gehäusemontage, Ausgangsspannung: 54V dc, Länge: 253mm, Breite: 127mm, Tiefe: 48.5mm, Wirkungsgrad: 96%, Temperatur max.: +70°C, Temperatur min.: -40°C, Gewicht: 3.9kg, MPN: HEP-600H-54

MEAN WELL Schaltnetzteil, 54V dc / 11.2A 604.8W 127 → 431 V dc, 90 → 305 V ac Geschlossen, Gehäusemontage.

Vishay CRCW-HP e3,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.2W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0402270RFKEDHP

2W ±100ppm/K, 0402 (1005M) Gehäuse.Vishay CRCW-HP e3,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 270Ω ±1% / 0.

onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 50 A HFE:400, TO-204 2-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 4,5 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 3,5 V, Abmessungen: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11032G

onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 50 A HFE:400, TO-204 2-Pin Einfach.

onsemi 2N3055AG THT, NPN Transistor 60 V / 15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin, Verlustleistung max.: 115 W, Gleichstromverstärkung min.: 10, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 100 V, Basis-Emitter Spannung max.: 7 V, Abmessungen: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Betriebstemperatur max.: +200 °C

onsemi 2N3055AG THT, NPN Transistor 60 V / 15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin.

onsemi 2N3055AG THT, NPN Transistor 60 V / 15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin, Verlustleistung max.: 115 W, Gleichstromverstärkung min.: 10, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 100 V, Basis-Emitter Spannung max.: 7 V, Abmessungen: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, Betriebstemperatur max.: +200 °C

onsemi 2N3055AG THT, NPN Transistor 60 V / 15 A 1 MHz, TO-204AA 2-Pin.

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onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 50 A HFE:400, TO-204 2-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 4,5 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 3,5 V, Abmessungen: 38.86 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11032G