Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 2,4 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Gehäusegröße: IPAK, TO-251, Montage-Typ: Leiterplattenmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Höhe: 2.39mm, MPN: IRFU420PBF
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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 2,4 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 2,4 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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