Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 3mm, MPN: IRF5801TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 MA 2 W, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 MA 2 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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