Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI7121DN-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |