Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.
Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIHF640L-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
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Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin I2PAK (TO-262) | |
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