Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6,2 A 1,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The : +150 °C, MPN: SI7850DP-T1-E3.9mm, Betriebstemperatur max
Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6,2 A 1,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI7850DP-T1-E3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6,2 A 1,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6,2 A 1,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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