Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 266 MW, 6-Pin SOT-363
About The : +150 °C, MPN: NTJD5121NT1G.: 2
onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 266 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTJD5121NT1G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 266 MW, 6-Pin SOT-363
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Specifications of Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 MA 266 MW, 6-Pin SOT-363 | |
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