Vishay SiDR392DP N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Name: Vishay? Vishay SiDR392DP N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC, Drain-Source-Widerstand Max.: 0,00062 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 2.2V, MPN: SIDR392DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: ABDT-282621
Price: 15.46 EUR
Availability: InStock

About The 2V, MPN: SIDR392DP-T1-RE3.: 0,00062 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SiDR392DP N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00062 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, MPN: SIDR392DP-T1-RE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Murata DFE252012P Drosselspule, 4,7 μH 2.2A mit Eisenpulver-Kern, 2012 Gehäuse 2.5mm / ±20%, Tiefe: 2mm, Höhe: 1.2mm, Abmessungen: 2.5 x 2 x 1.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 200mΩ, Kernmaterial: Pulverbeschichtetes Eisen, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: DFE252012P-4R7M=P2

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Specifications of Vishay SiDR392DP N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
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Last Updated January 15th, 2025 01:10 pm

Vishay SiDR392DP N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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Vishay SiDR392DP N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

About The 2V, MPN: SIDR392DP-T1-RE3.: 0,00062 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

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Siemens SENTRON 3VA5, Leistungsschalter MCCB 2-polig, 15A / Abschaltvermögen 55 kA, Fest, MPN: 3VA5195-5ED21-0AA0

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