onsemi NVTFS6H850N N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 9,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: NVTFS6H850NTAG
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVTFS6H850N N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN
Specifications of Onsemi NVTFS6H850N N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |