Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Infineon, Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 3,2 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: IPB029N06N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: ABDT-284030
Price: 115.56 EUR
Availability: InStock

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 3,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: IPB029N06N3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Hilscher CPCI Netzwerkkarte, 0.01 Mbit/s, 0.1 Mbit/s, 0.02 Mbit/s, 0.05 Mbit/s, 0.5 Mbit/s, 0.8 Mbit/s, 0.25 Mbit/s,, Interfacetyp: D-Sub, Netzwerkgeschwindigkeit: 0.01 Mbit/s, 0.1 Mbit/s, 0.02 Mbit/s, 0.05 Mbit/s, 0.5 Mbit/s, 0.8 Mbit/s, 0.25 Mbit/s, 0.125 Mbit/s, 1 Mbit/s, Wake-On-LAN: Nein, MPN: CIFX 80-CO

Wurth Elektronik Induktivitäten-Sortiment, Inhalt Gleichtakt-Leistungsdrossel WE-FC, 30-teilig, Maximale Induktivität: 33mH, Minimale Induktivität: 0.82mH, MPN: 744864

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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated January 27th, 2025 12:04 pm

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 300kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0402300KFKED

Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 300kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse.

Vishay Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 12.35V / 500 mW max, MicroSMF (DO-219AC) 2-Pin, Zenertyp: Universal, MPN: PLZ12C-HG3_A/H

35V / 500 mW max, MicroSMF (DO-219AC) 2-Pin.

Vishay Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 12.03V / 500 mW max, MicroSMF (DO-219AC) 2-Pin, Zenertyp: Universal, MPN: PLZ12B-HG3_A/H

Vishay Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 12.

RS PRO Blind Niet, Ø 4.8mm x 17mm, Grau, Edelstahl, 4.9 → 5.1mm aus Edelstahl, min.

7.7mm, max.1mm aus Edelstahl, min.7mm, Erfüllte Normen: DIN 7337, Finish: Glatt, Edelstahltyp: A2 304 7.

RS PRO Blind Niet, Ø 4.8mm x 17mm, Grau, Edelstahl, 4.9 → 5.1mm aus Edelstahl, min.

7mm. 7.

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 3,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 300kΩ ±1%, 0402 (1005M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0402300KFKED

Vishay Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 12.35V / 500 mW max, MicroSMF (DO-219AC) 2-Pin, Zenertyp: Universal, MPN: PLZ12C-HG3_A/H

Vishay Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 12.03V / 500 mW max, MicroSMF (DO-219AC) 2-Pin, Zenertyp: Universal, MPN: PLZ12B-HG3_A/H

RS PRO Blind Niet, Ø 4.8mm x 17mm, Grau, Edelstahl, 4.9 → 5.1mm aus Edelstahl, min.

RS PRO Blind Niet, Ø 4.8mm x 17mm, Grau, Edelstahl, 4.9 → 5.1mm aus Edelstahl, min.