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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,6 A, 3-Pin SOT-23

About The .Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,6 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,6 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0,04 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SI2369DS-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,6 A, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,6 A, 3-Pin SOT-23

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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,6 A, 3-Pin SOT-23
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Rating :- 9.84 /10
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RF Solutions Antenne, 2G (GSM/GPRS), 3G (UTMS), T-Stab, SMA, selbstklebend, 2.5dBi, Frequenzbereich: 890 → 960 MHz, 1710 → 1880 MHz, Montageart: Klebemontage, MPN: ANT-GDIP3-SMA
    • RS PRO Gewindereparatursatz, 19 Stück, M8 x 1,25, Satz Inhalt: HSS-Bohrer 8,3 mm, Installationsdorn, M8 x 1,25 HSS-Gewindebohrer STI, Zapfenbrechwerkzeug, Gewindeeinsätze: jeweils 5 1.0D; 1.5 D; 2.0D
    • RS PRO Gewindereparatursatz, 19 Stück, Satz Inhalt: HSS-Bohrer 4,1 mm, Installationsdorn, M4 x 0,7 HSS-Gewindebohrer STI, Zapfenbrechwerkzeug, Gewindeeinsätze: jeweils 5 1.0D; 1.5 D; 2.0D
    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max.: 0,042 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SI2347DS-T1-GE3
    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max.: 0,042 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SI2347DS-T1-GE3