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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236

About The : 0,042 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SI2347DS-T1-GE3

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236, Drain-Source-Widerstand max.: 0,042 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SI2347DS-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236

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