Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
About The : 12,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 12,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK35E08N1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220 | |
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