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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.73mm, MPN: IRFU3607PBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRFU3607PBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Intelligent LED Solutions ILS, LED-Array Weiß 2.7 → 3.2V, Ø 20mm 260 lm-Typ, 3000K Aluminium, Anzahl der LEDs: 1, Konstantspannung oder Konstantstrom: Konstantstrom, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Energieeffizienzklasse D, Nennstrom: 2A, Anschluss Typ: Anschlusslitzen, EU Energy Label Status: Compliant, MPN: ILH-OG01-WMWH-SC221-WIR200.
    • CEJN 320 Spirale Polyurethan Spiralschlauch Blau, Innen-Ø 8mm x 8m, 10bar, Rohraußendurchmesser: 12mm, Betriebstemperatur (min.): -30°C, Betriebstemperatur (max.): +60°C, MPN: C199589916
    • XP Power IV DC/DC-Wandler 1W 24 V dc IN, ±24V dc OUT / ±42mA Durchsteckmontage 3kV dc isoliert, Ausgangsspannung: ±24V dc, Eingangsspannung: 21,6 → 26,4 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP, Isolationsspannung: 3kV dc, Tiefe: 9.5mm, Länge: 19.5mm, Breite: 6mm, Lastausregelung: ±10%, MPN: IV2424S
    • ifm electronic ifm EVM konfektioniertes Sensorkabel 4-adrig, Stecker gerade / M12 Buchse gerade, Länge 5m, Leiterquerschnitt: 0,34 mm², Mantelfarbe: Schwarz, Mantelmaterial: Polyurethan PUR, MPN: EVM090
    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 191kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3AEB1913V
    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 196kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3AEB1963V
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRFU3607PBF
    • Carlo Gavazzi RSGD Sanftstarter 3-phasig 12 Ampere, 600 V / 12 A, Motorstarter-Typ: Sanftanlauf, IP Schutzart: IP20, MPN: RSGD6012GGVD210C
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRFU3607PBF
    • Carlo Gavazzi RSGD Sanftstarter 3-phasig 12 Ampere, 600 V / 12 A, Motorstarter-Typ: Sanftanlauf, IP Schutzart: IP20, MPN: RSGD6012GGVD210C