Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,035 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD26N06S2L35ATMA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |