Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin TO-220
About The 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPP80R900P7XKSA1.: 900 mO, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 900 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPP80R900P7XKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin TO-220 | |
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