STMicroelectronics STripFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.75mm, MPN: STW120NF10
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STripFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247
Specifications of STMicroelectronics STripFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |