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Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH

About The 15mm, Betriebstemperatur max.: 1,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 9.15mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF7749L1TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH

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Specifications of Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH

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Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 375 A 125 W DirectFET ISOMETRISCH
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