Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 78 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRFR4620TRLPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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