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IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV

About The : 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min

IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 16.05mm, MPN: IXFT60N65X2HV

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV

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Specifications of IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268HV

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