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Infineon OptiMOSâ„¢ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 3.31mm, MPN: IPB027N10N3GATMA1

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, MPN: IPB027N10N3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOSâ„¢ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOSâ„¢ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon OptiMOSâ„¢ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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