Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
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Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 4e+008 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: SSM3J356R,LF(T
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23 | |
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