Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +5 V, Länge: 6.5mm, MPN: IPD90P03P4L-04
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Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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