Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 114 A, 8-Pin TDSON-8 FL, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0028 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: BSZ028N04LSATMA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 114 A, 8-Pin TDSON-8 FL
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 114 A, 8-Pin TDSON-8 FL | |
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