Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.04mm, MPN: IRLML2803TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,2 A 540 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,2 A 540 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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