IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220
About The : 5.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IXTP75N10P
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220 | |
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