STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: STD10P6F6
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STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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