onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 147 A 125 W, 8-Pin PQFN8, Gehäusegröße: Leistung 56, Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V, MPN: NTMFS08N003C
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 147 A 125 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 147 A 125 W, 8-Pin PQFN8 | |
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