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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 38 W, 3-Pin TO-220 FP

About The 65mm, MPN: IPA057N06N3GXKSA1.: 5,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 38 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 5,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.65mm, MPN: IPA057N06N3GXKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 38 W, 3-Pin TO-220 FP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 38 W, 3-Pin TO-220 FP

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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 38 W, 3-Pin TO-220 FP
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