Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5.35mm, MPN: BSC500N20NS3GATMA1
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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON | |
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