reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.35mm, MPN: BSC500N20NS3GATMA1

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 5.35mm, MPN: BSC500N20NS3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON
More Varieties

Rating :- 9.81 /10
Votes :- 40