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Norton Schleifriemen, Aluminiumoxid, Mittel Grad, Korngröße P50, 305mm 13mm

About The Norton Schleifriemen, Aluminiumoxid, Mittel Grad, Korngröße P50, 305mm 13mm, Anzahl der Bänder: 10, Serie: R293 Narrow Belts, MPN: 63642552931

Norton Schleifriemen, Aluminiumoxid, Mittel Grad, Korngröße P50, 305mm 13mm, Anzahl der Bänder: 10, Serie: R293 Narrow Belts, MPN: 63642552931

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Elektrowerkzeuge Löten & Schweißen > Schleifriemen & Scheiben & Räder > Schleifblätter & -bänder

Norton Schleifriemen, Aluminiumoxid, Mittel Grad, Korngröße P50, 305mm 13mm

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Specifications of Norton Schleifriemen, Aluminiumoxid, Mittel Grad, Korngröße P50, 305mm 13mm

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Norton Schleifriemen, Aluminiumoxid, Mittel Grad, Korngröße P50, 305mm 13mm
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onsemi Abwärtswandler 1A 5,25 V Buck Controller 4,75 V 4,75 V / 40 V Fest THT 5-Pin, Schaltfrequenz max.: 52 kHz, Gehäusegröße: TO-220, Schaltregler: Ja, Abmessungen: 10.54 x 4.57 x 9.27mm, Wirkungsgrad: 77%, MPN: LM2575T-5G
    • ifm electronic GG7 M18 Induktiver Näherungsschalter Induktiv, Gewinderohr 1 → 5 mm 19,2 → 30 V DC, IP65,, IP Schutzart: IP65, IP67, MPN: GG712S

    ifm electronic GG7 M18 Induktiver Näherungsschalter Induktiv, Gewinderohr 1 → 5 mm 19,2 → 30 V DC, IP65,, IP Schutzart: IP65, IP67, MPN: GG712S

    ifm electronic GG7 M18 Induktiver Näherungsschalter Induktiv, Gewinderohr 1 → 5 mm 19,2 → 30 V DC, IP65,.

    • KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10nF ±5% / 200V dc, Gehäuse 1206 (3216M), Spannung: 200V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.2 x 1.6 x 0.94mm, Länge: 3.2mm, Tiefe: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Entstörklasse: Class II, MPN: 12062C103JAT2A
    • Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm, MPN: BSC010NE2LSATMA1
    • Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm, MPN: BSC010NE2LSATMA1