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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

About The : –16 V, +16 V, Länge: 6.: 2V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLU024NPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
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RS PRO Nylon Schlauchschelle Rasthalt, Ø 9.2 → 10.3mm, Innendurchmesser min.: 9.2mm

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    • SMC SYJ300 Vorgesteuertes Magnetventil 3/4, Magnetspulen-Anschluss: Ja, Gehäusematerial: Zinkdruckguss, Durchflussrate (max.): 92l/min, Magnetspulen-Leistungsaufnahme: 0.35W, Betriebsdruck (min.): 0.15MPa, Betriebsdruck (max.): 0,7 MPa, Betriebstemperatur (max.): +50°C, Betriebstemperatur (min.): -10°C, MPN: SYJ314M-5GS-Q
    • Omron Montagehülse für E2E NEXT M8 geschirmte Sensoren, MPN: Y92E-J8S12

    Omron Montagehülse für E2E NEXT M8 geschirmte Sensoren, MPN: Y92E-J8S12

    Omron Montagehülse für E2E NEXT M8 geschirmte Sensoren.

    • SICK GR18 Rechteckig Optischer Sensor, Energetisch, Bereich 3 → 350 mm, PNP Ausgang, Anschlusskabel,, Schaltnetzteil: Hell-/dunkelschaltend, Gleichspannung max.: 30V, Anschlusstyp: Kabel: 3 Meter, Lichtquelle: PinPoint-LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 30 mA, Reaktionszeit: 1000 μs, Gehäusematerial: ABS, Kunststoff, Betriebstemperatur max.: +55°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: 1121486
    • Legrand 039 Anschlusseinheit, 230 Vac, Baugruppentyp: Sockel, MPN: 062520
    • SICK GR18S zylindrisch Optischer Sensor, Annäherung, Bereich 3 → 115 mm, NPN Ausgang, Anschlusskabel,, Schaltnetzteil: Hellschaltend, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: PinPoint-LED, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 100 mA, Reaktionszeit:
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLU024NPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF1404LPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLU024NPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF1404LPBF