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Phoenix Contact Phoenix F-MS 12 ST Überspannungsableiter, Transienten Spannungsbegrenzer 40kA 230 V Ac, PCB-Montage, 52.5 X 17.4 X

About The 4 x, Suppressor Typ: Schutzmodul für Überspannungsableiter, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 52.5mm, Betriebstemperatur min

Phoenix Contact Phoenix F-MS 12 ST Überspannungsableiter, Transienten Spannungsbegrenzer 40kA 230 V ac, PCB-Montage, 52.5 x 17.4 x, Suppressor Typ: Schutzmodul für Überspannungsableiter, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 52.5mm, Tiefe: 17.4mm, Höhe: 55.5mm, Abmessungen: 52.5 x 17.4 x 55.5mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +80°C, MPN: 2817990

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Überspannungsschutz-Komponenten > Überspannungsschutz Einheiten

Phoenix Contact Phoenix F-MS 12 ST Überspannungsableiter, Transienten Spannungsbegrenzer 40kA 230 V Ac, PCB-Montage, 52.5 X 17.4 X

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Specifications of Phoenix Contact Phoenix F-MS 12 ST Überspannungsableiter, Transienten Spannungsbegrenzer 40kA 230 V Ac, PCB-Montage, 52.5 X 17.4 X

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Siemens N 530 Schalter-Betätigungselement / 8 x Gamma Instabus Bistabiler Relaiskontakt Ausgang 24 VDC, MPN: 5WG1530-1DB51

Siemens N 530 Schalter-Betätigungselement / 8 x Gamma Instabus Bistabiler Relaiskontakt Ausgang 24 VDC, MPN: 5WG1530-1DB51

Siemens N 530 Schalter-Betätigungselement / 8 x Gamma Instabus Bistabiler Relaiskontakt Ausgang 24 VDC.

    • Siemens N 530 Schalter-Betätigungselement / 4 x Gamma Instabus Bistabiler Relaiskontakt Ausgang 24 VDC, MPN: 5WG1530-1DB31

    Siemens N 530 Schalter-Betätigungselement / 4 x Gamma Instabus Bistabiler Relaiskontakt Ausgang 24 VDC, MPN: 5WG1530-1DB31

    Siemens N 530 Schalter-Betätigungselement / 4 x Gamma Instabus Bistabiler Relaiskontakt Ausgang 24 VDC.

    • EPCOS Varistor, 1.05nF, 56V, 35V, Keramik / 110A, 250A max., 4032 Gehäuse, 10.2 x 8 x 3.2mm, L. 10.2mm

    EPCOS Varistor, 1.05nF, 56V, 35V, Keramik / 110A, 250A max., 4032 Gehäuse, 10.2 x 8 x 3.2mm, L. 10.2mm

    2mm, Serie: Standard, Gleichspannung max.2 x 8 x 3.05nF, 56V, 35V, Keramik / 110A, 250A max., 4032 Gehäuse, 10.

    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRF7406TRPBF
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRF7406TRPBF