Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP
About The : -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP, Gehäusegröße: TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 0.9V, MPN: IPAW60R600CEXKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP
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Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP | |
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