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Siemens SIRIUS 3RT12 Leistungsschütz 200 → 277 V AC/DC-Spule, 3 -polig, 1 KV / 300 A 400 KW 2 NO (Schließer) +

About The Siemens SIRIUS 3RT12 Leistungsschütz 200 → 277 V AC/DC-Spule, 3 -polig, 1 kV / 300 A 400 kW 2 NO (Schließer) +, Kontaktart: 2 NO (Schließer) + 2 NC (Öffner), MPN: 3RT1266-6NP36

Siemens SIRIUS 3RT12 Leistungsschütz 200 → 277 V AC/DC-Spule, 3 -polig, 1 kV / 300 A 400 kW 2 NO (Schließer) +, Kontaktart: 2 NO (Schließer) + 2 NC (Öffner), MPN: 3RT1266-6NP36

Elektromechanik & Automation und Kabel > Automation > Schütze und Hilfskontakte > Schütze

Siemens SIRIUS 3RT12 Leistungsschütz 200 → 277 V AC/DC-Spule, 3 -polig, 1 KV / 300 A 400 KW 2 NO (Schließer) +

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Specifications of Siemens SIRIUS 3RT12 Leistungsschütz 200 → 277 V AC/DC-Spule, 3 -polig, 1 KV / 300 A 400 KW 2 NO (Schließer) +

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Arcol MRA0207 Metallschicht Widerstand 20kΩ ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +125°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MRA020720KBTA015
    • WIKA 23X.50 Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -1bar → 15bar, Ø 100mm NPT1/4, MPN: 48771511

    WIKA 23X.50 Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -1bar → 15bar, Ø 100mm NPT1/4, MPN: 48771511

    50 Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -1bar → 15bar, Ø 100mm NPT1/4.WIKA 23X.

    • TE Connectivity 915 15 M15 Rundsteckverbinder Stecker 15-polig / 14.0A, Tafelmontage, Steckanschluss IP 67, Kontakt Gender: Male, Anschlussart: Stecken, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 63,0 V, Verbindungstyp: Push-Pull, Gehäusematerial: Zinklegierung, Kontaktbeschichtung: Messing, MPN: EEGA201NN00000500000
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 3,13 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 150 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTF5P03T3G
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 3,13 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 150 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTF5P03T3G