Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 2500 MW, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The 3 A 2500 mW, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C, MPN: IRLU110PBF
Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 2500 mW, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 540 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRLU110PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 2500 MW, 3-Pin IPAK (TO-251)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 4.3 A 2500 MW, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
