Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -1V, Gate-Schwellenspannung min.: -0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI3473CDV-T1-GE3
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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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