ROHM RD3P200SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.8mm, MPN: RD3P200SNTL
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ROHM RD3P200SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of ROHM RD3P200SN N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 20 A 20 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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