Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIR870ADP-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |