STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: STR2P3LLH6
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STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 350 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 350 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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