Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Infineon | Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 7,7 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur Max.: +175 °C, MPN: IPB072N15N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: ABDT-347397
Price: 2415.60 EUR
Availability: InStock

About The : +175 °C, MPN: IPB072N15N3GATMA1.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPB072N15N3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Siemens 3NJ4912 Abdeckrahmen Schwarz, Weiß, MPN: 3NJ4912-2DA00

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPB320N20N3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated January 6th, 2025 05:55 pm

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

More Varieties

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KEMET, X FT-CAP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200, Kapazität: 10µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.3 x 1.6 x 1.6mm, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: C1206X106K3RACAUTO

KEMET, X FT-CAP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200.

SMC CQS Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 15mm, Ausführung: Zweifach, MPN: CDQSB20-15DM

SMC CQS Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 15mm.

RS PRO Dünnschicht Widerstand 2.2kΩ 0.5% / 0.15W ±50 → 100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

5% / 0.15W ±50 → 100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse.2kΩ 0.RS PRO Dünnschicht Widerstand 2.

Phoenix Contact DIKD 1.5-LA 24GN/O-M Verbindungsklemme Dreifach Grau, 2.5mm², 250 V, Schraubanschluss, AWG: 24 → 12AWG, Anschlussart: Schrauben, MPN: 2716376

5mm², 250 V, Schraubanschluss.Phoenix Contact DIKD 1.5-LA 24GN/O-M Verbindungsklemme Dreifach Grau, 2.

Phoenix Contact DIKD 1.5 BU Verbindungsklemme Dreifach Blau, 2.5mm², 250 V, Schraubanschluss, AWG: 24 → 12AWG, Anschlussart: Schrauben, MPN: 2716101

5 BU Verbindungsklemme Dreifach Blau, 2.5mm², 250 V, Schraubanschluss.

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPB320N20N3GATMA1

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263).