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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The 31mm, Betriebstemperatur max.: 2V, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IPB320N20N3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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KEMET, X FT-CAP, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10μF ±10% / 25V dc, Gehäuse 1206 (3216M), AEC-Q200, Kapazität: 10µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.3 x 1.6 x 1.6mm, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: C1206X106K3RACAUTO
    • SMC CQS Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 15mm, Ausführung: Zweifach, MPN: CDQSB20-15DM
    • RS PRO Dünnschicht Widerstand 2.2kΩ 0.5% / 0.15W ±50 → 100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    RS PRO Dünnschicht Widerstand 2.2kΩ 0.5% / 0.15W ±50 → 100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    5% / 0.15W ±50 → 100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse.2kΩ 0.RS PRO Dünnschicht Widerstand 2.

    • Phoenix Contact DIKD 1.5-LA 24GN/O-M Verbindungsklemme Dreifach Grau, 2.5mm², 250 V, Schraubanschluss, AWG: 24 → 12AWG, Anschlussart: Schrauben, MPN: 2716376
    • Phoenix Contact DIKD 1.5-LA 24GN/O-M Verbindungsklemme Dreifach Grau, 2.5mm², 250 V, Schraubanschluss, AWG: 24 → 12AWG, Anschlussart: Schrauben, MPN: 2716376