Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251)
About The : 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3.: 0,95 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 0,95 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: SIHU6N80AE-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 3,2 A, 5 A., 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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