Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
About The : 2.3V, MPN: SIJ150DP-T1-GE3
Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0041 Ω, 0,00283 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, MPN: SIJ150DP-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
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Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 11 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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