Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0011 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 16V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, MPN: IPC100N04S5L1R1ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 100 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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