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Phoenix Contact PLC-RPT- 48DC/21 Interface Relais / 48V Dc 48V Dc, 1-poliger Wechsler DIN-Schienen

About The Phoenix Contact PLC-RPT- 48DC/21 Interface Relais / 48V dc 48V dc, 1-poliger Wechsler DIN-Schienen, Spulenspannung: 48V dc, Anschluss Typ: SMD, Tiefe: 6.2mA, Abmessungen: 94 x 6

Phoenix Contact PLC-RPT- 48DC/21 Interface Relais / 48V dc 48V dc, 1-poliger Wechsler DIN-Schienen, Spulenspannung: 48V dc, Anschluss Typ: SMD, Tiefe: 6.2mm, Höhe: 80mm, Länge: 94mm, Kontaktmaterial: Silberlegierung, Eingangstrom: 9.2mA, Abmessungen: 94 x 6.2 x 80mm, Distrelec Product Id: 30410449, Betriebstemperatur max.: +60°C, MPN: 2900301

Elektromechanik & Automation und Kabel > Relais und Signalaufbereitung > Relais > Elektromechanisches Interfacerelais

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Specifications of Phoenix Contact PLC-RPT- 48DC/21 Interface Relais / 48V Dc 48V Dc, 1-poliger Wechsler DIN-Schienen

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Microchip dsPIC30F Digitaler Signalprozessor 16bit 30MIPS 2048 kB 1024 kB, 24 kB Flash SOIC 28-Pin 10 x 12 bit ADC 0 0, Instruktionssatz-Architektur: RISC, Montage-Typ: SMD, Versorgungsspannnung typ.: 2,5 → 5,5 V, A/D-Wandler Auflösung: 12bit, MPN: dsPIC30F3013-30I/SO
    • STMicroelectronics Operationsverstärker Operationsverstärker SMD MiniSO8, einzeln typ. 36 V, 8-Pin
    • WAGO Buchse 232 Leuchtensteckverbinder, Steckbarer Stecker, Kontakte: 14, Anz.Ausl. 14, Snap-In, 14A

    WAGO Buchse 232 Leuchtensteckverbinder, Steckbarer Stecker, Kontakte: 14, Anz.Ausl. 14, Snap-In, 14A

    Ausl.WAGO Buchse 232 Leuchtensteckverbinder, Steckbarer Stecker, Kontakte: 14, Anz. 14, Snap-In, 14A, MPN: 232-214/026-000.

    • Vishay EF Series N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 123 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 4.83mm, MPN: SiHB28N60EF-GE3
    • Vishay EF Series N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 123 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 4.83mm, MPN: SiHB28N60EF-GE3