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Infineon IGBT / 75 A ±20V Max., 650 V 536 W, 4-Pin TO-247 N-Kanal

About The Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 650 V 536 W, 4-Pin TO-247 N-Kanal, Gate-Source Spannung max

Infineon IGBT / 75 A ±20V max., 650 V 536 W, 4-Pin TO-247 N-Kanal, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, ±30V, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, MPN: IKZ75N65EL5XKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Infineon IGBT / 75 A ±20V Max., 650 V 536 W, 4-Pin TO-247 N-Kanal

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Specifications of Infineon IGBT / 75 A ±20V Max., 650 V 536 W, 4-Pin TO-247 N-Kanal

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Infineon IGBT / 75 A ±20V Max., 650 V 536 W, 4-Pin TO-247 N-Kanal
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