Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 45 A 3750 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 58 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.41mm, MPN: SUM45N25-58-E3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 45 A 3750 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 45 A 3750 MW, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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