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EPCOS SIMID Drosselspule, 10 μH 650mA Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 25MHz

About The 5 x 3.: 350mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max

EPCOS SIMID Drosselspule, 10 μH 650mA mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 25MHz, Tiefe: 3.2mm, Abmessungen: 4.5 x 3.2 x 3.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 350mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82432T1103K000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS SIMID Drosselspule, 10 μH 650mA Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 25MHz

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of EPCOS SIMID Drosselspule, 10 μH 650mA Mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / ±10%, 25MHz

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